培育半導體專才 科技部111年打造產學合作

↑力挺科研,科技部基礎科研經費111年度成長14%。(圖/取自123RF)

 

因應後疫時代,為維持我國之國際競爭力,行政院日前宣布111年度政府科技預算將加大投入力道,尤其在基礎研究經費編列437億元,較110年度法定數成長11.3%,其中科技部將投入325億元,較110年度成長14%。除了基礎研究,針對台灣重量級的半導體產業也力推新計畫,包括目前在推動的「A世代半導體計畫」、「半導體射月計畫」等專案計畫,以及111年再推的「次世代化合物半導體前瞻研發計畫」、「關鍵新興晶片設計研發計畫」。

 

當中,「次世代化合物半導體前瞻研發計畫」中,以研發次世代化合物半導體前瞻技術研發為目標,整合產學研團隊,發展化合物半導體功率相關應用關鍵技術與核心能量,藉以提升國內化合物半導體磊晶、製程及元件的技術層次,以及培育電動車、B5G/6G 等關鍵半導體技術未來所需研發人才。

 

而「A世代半導體-前瞻半導體及量子技術研發計畫」中,將推動下一個十年所需的前瞻元件與材料、先進製程檢測技術、量子元件次系統等技術的先期布局。以新穎低維半導體材料技術為基礎,發展關鍵元件技術,推動半導體產業下一個十年所需之前瞻元件與晶片技術,跟上國際量子電腦發展的腳步。

 

全力推動扶植產業同時,科技部也致力打造產學合作機制,透過彼此交流促升更多的研發能量。此外,為促進國家重點領域產學合作,「國家重點領域產學合作及人才培育創新條例」今年已三讀通過,包括陽明交通大學、清華大學 、成功大學和台灣大學已申請增設半導體等相關高科技研究學院。

 

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